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FDB38N30U中文资料功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,Ultra FRFETTM,300 V,38A,120 mΩ,D2PAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB38N30U

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,Ultra FRFETTM,300 V,38A,120 mΩ,D2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 13:44:00

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FDB38N30U规格书详情

描述 Description

UniFET™ MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。其 trr小于 50 nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20 V/nsec,而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200 nsec 以上和 4.5 V/nsec。因此,UniFET Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 体二极管性能改进的某些应用中可消除多余的元件,并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB38N30U

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :300

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :38

  • PD Max (W)

    :313

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :0.12

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :0.12

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :56

  • Ciss Typ (pF)

    :2510

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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