FDB38N30U中文资料功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,Ultra FRFETTM,300 V,38A,120 mΩ,D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FDB38N30U规格书详情
描述 Description
UniFET™ MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。其 trr小于 50 nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20 V/nsec,而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200 nsec 以上和 4.5 V/nsec。因此,UniFET Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 体二极管性能改进的某些应用中可消除多余的元件,并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
技术参数
- 制造商编号
:FDB38N30U
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:300
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:38
- PD Max (W)
:313
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:0.12
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:0.12
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:56
- Ciss Typ (pF)
:2510
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
D2PAK |
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D2PAK |
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原厂原装 |
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