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FDB3682中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,32A,36mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB3682

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,32A,36mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 12:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FDB3682

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :32

  • PD Max (W)

    :95

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :0.06

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :0.06

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :17

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :18.5

  • Ciss Typ (pF)

    :1250

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
2511
TO-263-2
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