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FDB3672中文资料N-Channel PowerTrench MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB3672

功能描述

N-Channel PowerTrench MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 12:00:00

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技术参数

  • 型号:

    FDB3672

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
2511
TO-263-2
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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三年内
1983
只做原装正品
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ON
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SOT263
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FAIRCHILD/仙童
23+
D2-PAKTO-263
24190
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ON/安森美
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FAIRCHILD/仙童
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TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
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FAIRCHILD
24+
TO-263(D2PAK)
8866
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FAIRCHILD/仙童
22+
D2-PAKTO-263
18000
原装正品
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Fairchild/ON
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
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onsemi(安森美)
24+
TO-263
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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