FDB3652中文资料N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB3652规格书详情
特性 Features
•rDS(ON) = 14mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 61A
•Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V
•Low Miller Charge
•Low Qrr Body Diode
•UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
技术参数
- 型号:
FDB3652
- 功能描述:
MOSFET N-Channel PowerTrench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
TO-263-2 |
360000 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263(D2PAK) |
90000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
D2-PAKTO-263 |
24190 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
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ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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ON |
24+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
25000 |
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询价 | ||
恩XP |
2324+ |
NA |
78920 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-2632L(D2PAK) |
50000 |
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询价 |