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FDB3652中文资料N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB3652

功能描述

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 12:00:00

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FDB3652规格书详情

特性 Features

•rDS(ON) = 14mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 61A
•Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V
•Low Miller Charge
•Low Qrr Body Diode
•UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

技术参数

  • 型号:

    FDB3652

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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