N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16m?

Features • rDS(ON) = 14mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A • Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • DC/DC Converters and Off-line UPS • Distributed Power Architectures

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ

•rDS(ON) = 14mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 61A \n•Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V \n•Low Miller Charge \n•Low Qrr Body Diode \n•UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse);

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 61A, 16m廓

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 61A, 16m廓

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，61A，16mΩ

FDB3652_F085 •rDS(ON) = 14 mΩ （典型值）、VGS = 10 V、ID = 61 A\n•Qg(tot) = 41nC （典型值），VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 QRR体二极管\n•UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准 以前的开发类型 82769;

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