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FDB3652_F085

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,61A,16mΩ

FDB3652_F085 •rDS(ON) = 14 mΩ (典型值)、VGS = 10 V、ID = 61 A\n•Qg(tot) = 41nC (典型值),VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 QRR体二极管\n•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准 以前的开发类型 82769;

ONSEMI

安森美半导体

FDB3652_F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 61A, 16m廓

文件:476.95 Kbytes 页数:11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB8443

FAIRCHILD
TO263

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传:深圳市旺财半导体有限公司

FDBL0630N150

ON
PSOF-8L

ON

FDBL86063-F085

ONSEMI
MO-299A

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳深宇韬电子科技有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    100

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    61

  • PD Max (W):

    150

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    16

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    41

  • Ciss Typ (pF):

    2880

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

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FairchildSemiconductor
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更多FDB3652_F085供应商 更新时间2025-10-4 14:15:00