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FDB3502	文件：328.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 47mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：328.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDB3502	文件：329.09 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 75V, 14A, 47m廓文件：329.09 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB3502	文件：452.61 Kbytes Page：2 Pages	35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS 文件：452.61 Kbytes 页数：2 Pages	DEC	DEC
FDB3502	文件：300 bytes Page：1 Pages	75V N沟道PowerTrench® MOSFET 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10V，ID = 6A时，最大rDS(on) = 47mΩ\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB3502P	文件：451.58 Kbytes Page：2 Pages	35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS 文件：451.58 Kbytes 页数：2 Pages	DEC	DEC

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更多FDB3502供应商更新时间2025-12-12 9:04:00