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FDB3502中文资料75V N沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB3502

功能描述

75V N沟道PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 22:59:00

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FDB3502规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 6A时,最大rDS(on) = 47mΩ
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• Synchronous Rectifier

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB3502

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :75

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :14

  • PD Max (W)

    :41

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :47

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :11

  • Ciss Typ (pF)

    :615

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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