FDB3502中文资料75V N沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDB3502规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•VGS = 10V,ID = 6A时,最大rDS(on) = 47mΩ
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• Synchronous Rectifier
技术参数
- 制造商编号
:FDB3502
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:75
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4.5
- ID Max (A)
:14
- PD Max (W)
:41
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:47
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:11
- Ciss Typ (pF)
:615
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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SOT-263 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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