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FDC365P	文件：308.68 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS Compliant General Description This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDS(on) and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications. Features ■ Max rDS(on) = 55mΩ at VGS = -10V, ID = -4.2 文件：308.68 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDC365P_07	文件：308.68 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel PowerTrench MOSFET 文件：308.68 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDC365P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 沟道，Power Trench® MOSFET，-35V，-4.3A，55mΩ 此P沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench® 技术生产，用以提供低rDS(on)和优化的Bvdss能力，以便在应用中提供卓越的性能优势。 •VGS = 10V，ID = -4.2A时，最大rDS(ON) = 55mΩ\n•VGS = -4.5V，ID = -3.2A时，最大rDS(ON) = 80mΩ\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FX365	文件：292.77 Kbytes Page：8 Pages	COMPATIBLE CTCSS ENCODER / DECODER 文件：292.77 Kbytes 页数：8 Pages	CMLMICRO	CMLMICRO
FX365J	文件：292.77 Kbytes Page：8 Pages	COMPATIBLE CTCSS ENCODER / DECODER 文件：292.77 Kbytes 页数：8 Pages	CMLMICRO	CMLMICRO
FX365LG	文件：292.77 Kbytes Page：8 Pages	COMPATIBLE CTCSS ENCODER / DECODER 文件：292.77 Kbytes 页数：8 Pages	CMLMICRO	CMLMICRO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-55
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-3
ID Max (A)：
-4.3
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
80
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
55
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
19
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
6
Ciss Typ (pF)：
530
Package Type：
TSOT-23-6

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