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FDC365P中文资料P 沟道,Power Trench® MOSFET,-35V,-4.3A,55mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDC365P

功能描述

P 沟道,Power Trench® MOSFET,-35V,-4.3A,55mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-2-2 16:30:00

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FDC365P规格书详情

描述 Description

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench® 技术生产,用以提供低rDS(on)和优化的Bvdss能力,以便在应用中提供卓越的性能优势。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = -4.2A时,最大rDS(ON) = 55mΩ
•VGS = -4.5V,ID = -3.2A时,最大rDS(ON) = 80mΩ
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC365P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-55

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-4.3

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :80

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :55

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :19

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6

  • Ciss Typ (pF)

    :530

  • Package Type

    :TSOT-23-6

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