FDC365P中文资料P 沟道,Power Trench® MOSFET,-35V,-4.3A,55mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC365P规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench® 技术生产,用以提供低rDS(on)和优化的Bvdss能力,以便在应用中提供卓越的性能优势。
特性 Features
•VGS = 10V,ID = -4.2A时,最大rDS(ON) = 55mΩ
•VGS = -4.5V,ID = -3.2A时,最大rDS(ON) = 80mΩ
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDC365P
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-55
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:-3
- ID Max (A)
:-4.3
- PD Max (W)
:1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:80
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:55
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:19
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:6
- Ciss Typ (pF)
:530
- Package Type
:TSOT-23-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
20+ |
SOT23-6 |
6103 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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FSC |
24+ |
TSOP-6 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-163 |
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原装正品 支持实单 |
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FAIRCHILD |
2025+ |
TSOP-6 |
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ON |
23+ |
SOT23-6 |
30000 |
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FAI |
20+ |
TSOP-6 |
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诚信交易大量库存现货 |
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Fairchild |
24+ |
SMD |
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ON/安森美 |
25+ |
SOT23-6 |
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SOT-163 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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