FDC2512中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，1.4A，425mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC2512规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。
特性 Features
•1.4 A，150 V
•RDS(on) = 425 mΩ@ VGS = 10 V
•RDS(on) = 475 mΩ @ VGS = 6 V
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•低栅极电荷（典型值8nC）
•高功率和高电流处理能力
•快速开关速度
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC2512
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：1.4
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：425
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8
- Ciss Typ (pF)
：344
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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