FDC2512中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，1.4A，425mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

•1.4 A，150 V
•RDS(on) = 425 mΩ@ VGS = 10 V
•RDS(on) = 475 mΩ @ VGS = 6 V
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•低栅极电荷（典型值8nC）
•高功率和高电流处理能力
•快速开关速度

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.