FDC3535数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDC3535规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。
特性 Features
•VGS = -10 V,ID = -2.1 A时,最大rDS(on) = 183mΩ
•VGS = -4.5 V,ID = -1.9 A时,rDS(on) = 233 mΩ(最大值)
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDC3535
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-80
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:-3
- ID Max (A)
:-2.1
- PD Max (W)
:1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:233
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:183
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:6.8
- Ciss Typ (pF)
:659
- Package Type
:TSOT-23-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-23-6 |
20300 |
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SOT23-6 |
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ON/安森美 |
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SOT23-6 |
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ON/安森美 |
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SOT23-6 |
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只做原装正品 |
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