FDC3535中文资料-80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDC3535规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。
特性 Features
•VGS = -10 V，ID = -2.1 A时，最大rDS(on) = 183mΩ
•VGS = -4.5 V，ID = -1.9 A时，rDS(on) = 233 mΩ（最大值）
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC3535
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-2.1
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：233
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：183
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6.8
- Ciss Typ (pF)
：659
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT23-6 |
80000 |
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ON/安森美 |
24+ |
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NA |
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10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
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ON(安森美) |
24+ |
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6000 |
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ON |
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SOT23-6 |
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ON/安森美 |
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正规渠道原装正品 |
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SOT23-6 |
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24+ |
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