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FDC3535数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDC3535

功能描述

-80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:58:00

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FDC3535规格书详情

描述 Description

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。

特性 Features

•VGS = -10 V,ID = -2.1 A时,最大rDS(on) = 183mΩ
•VGS = -4.5 V,ID = -1.9 A时,rDS(on) = 233 mΩ(最大值)
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC3535

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-2.1

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :233

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :183

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.8

  • Ciss Typ (pF)

    :659

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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