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FDB52N20TM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDB52N20TM	文件：684.2 Kbytes Page：8 Pages	200V N-Channel MOSFET 文件：684.2 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDB52N20TM	文件：942.24 Kbytes Page：8 Pages	200V N-Channel MOSFET 文件：942.24 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDP52N20	文件：739.7 Kbytes Page：10 Pages	200V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high e 文件：739.7 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDP52N20	文件：1.17936 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049廓文件：1.17936 Mbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDPF52N20T	文件：1.17936 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049廓文件：1.17936 Mbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FDB52N20TM
功能描述：
MOSFET 200V N-Ch MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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