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FDBL0210N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 PowerTrench® MOSFET，80V，240A，2.0mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 240A, 2.0mΩ • 典型 RDS(on) = 1.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A时）\n• 典型 Qg(tot) = 130 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A时）\n• UIS 能力\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDBL0630N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	PSOF-8L	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
FDBL86062-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-LL-8L	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市芯亿发电子科技有限公司	FAIRCHILD
FDBL86063-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	MO-299A	ONSEMI 安森美半导体上传：深圳深宇韬电子科技有限公司	ONSEMI
FDBL86361-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	HPSOF8L	Onsemi安森美上传：深圳市振芯物联科技有限公司	Onsemi安森美

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
240
PD Max (W)：
357
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
2
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18
Ciss Typ (pF)：
10000
Package Type：
TO-LL 8L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDBL0210N80	ON/安森美	24+	H-PSOF-8-1	9524	原装正品,现货库存,1小时内发货	询价
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更多FDBL0210N80供应商更新时间2026-11-1 10:01:00

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