P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features • –5.8 A,

文件：148.98 Kbytes 页数：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-5.8A，30mΩ

此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合电池供电应用： 负载开关和功率管理、电池电源电路和DC/DC转换。 •-5.8A, -20V, RDS(on) = 30mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) = 43mΩ @ VGS = -2.5V\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•SuperSOT™ ¨C6封装： 小尺寸（比标准 SO¨C8 小 72%）；薄型（1 mm 厚）;

ONSEMI

安森美半导体

6.0A UITRASOFT RECOVERY BRIDGE

文件：1.23115 Mbytes 页数：3 Pages

YFWDIODE

佑风微

FRJAE ASSEMBLY 6 POSITION & 8 POSITION WITH OR WITH OUT FERRITES SINGLE PORT HIGH TEMP MATERIAL

文件：117.17 Kbytes 页数：1 Pages

AMPHENOL

安费诺

Surface Mount Standard Rectifiers

文件：2.42998 Mbytes 页数：3 Pages

JUXING

广东钜兴电子