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FDC608PZ中文资料P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-5.8A,30mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDC608PZ

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-5.8A,30mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 13:27:00

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FDC608PZ规格书详情

描述 Description

此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合电池供电应用: 负载开关和功率管理、电池电源电路和DC/DC转换。

特性 Features

•-5.8A, -20V, RDS(on) = 30mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) = 43mΩ @ VGS = -2.5V
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•SuperSOT™ ¨C6封装: 小尺寸(比标准 SO¨C8 小 72%);薄型(1 mm 厚)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC608PZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-5.8

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :43

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :30

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :7.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :17

  • Ciss Typ (pF)

    :1330

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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