FDC606P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，1.8V 指定，-12V，-6A，26mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC606P规格书详情
描述 Description
此P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆的低电压PowerTrench工艺。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-6 A，-12V
•RDS(on) = 26 mΩ@ VGS = -4.5 V
•RDS(on) = 35 mΩ@ VGS = -2.5 V
•RDS(on) = 53 mΩ@ VGS = -1.8 V
•快速开关速度
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC606P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-12
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-6
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：35
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：26
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：9
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：18
- Ciss Typ (pF)
：1699
- Package Type
：TSOT-23-6
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