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FDC606P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDC606P

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,1.8V 指定,-12V,-6A,26mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDC606P规格书详情

描述 Description

此P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆的低电压PowerTrench工艺。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•-6 A,-12V
•RDS(on) = 26 mΩ@ VGS = -4.5 V
•RDS(on) = 35 mΩ@ VGS = -2.5 V
•RDS(on) = 53 mΩ@ VGS = -1.8 V
•快速开关速度
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC606P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-12

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-6

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :35

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :26

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :9

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :18

  • Ciss Typ (pF)

    :1699

  • Package Type

    :TSOT-23-6

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