P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications. Features • –6 A, –12 V. RDS(ON) = 26 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 53 mΩ @ VGS = –

文件：154.53 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

丝印：T2P9C；Package：SOT23-6；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Application Battery Pack Portable Devices

文件：2.2576 Mbytes 页数：4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：606；Package：SOT-6；P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件：215.92 Kbytes 页数：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，1.8V 指定，-12V，-6A，26mΩ

此P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆的低电压PowerTrench工艺。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。 •-6 A，-12V\n•RDS(on) = 26 mΩ@ VGS = -4.5 V\n•RDS(on) = 35 mΩ@ VGS = -2.5 V\n•RDS(on) = 53 mΩ@ VGS = -1.8 V\n•快速开关速度\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体