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FDB8445_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，70A，9mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 9mΩ 典型 rDS(on) = 6.8 mΩ （VGS = 10 V、ID = 70 A）\n VGS = 10V时，典型Qg(TOT) = 44nC\n 低米勒电荷\n 低 Qrr体二极管\n UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB8445_F085	文件：342.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：342.44 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8445_F085	文件：528.67 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET Features RDS(ON)= 6.7 mΩ(Typ), VGS= 10V, ID=50A Qg(10)= 45nC (Typ), VGS=10V Low Miller Charge Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse) Qualified to AEC Q101 RoHS Compliant 文件：528.67 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDBL0630N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON PSOF-8L	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
FDBL86063-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	ONSEMI MO-299A	ONSEMI 安森美半导体上传：深圳深宇韬电子科技有限公司	ONSEMI

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-free
Status：
Active
Description：
N-Channel PowerTrench® MOSFET
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
70
PD Max (W)：
92
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
9
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
44
Ciss Typ (pF)：
2860
Package Type：
D2PAK-3 / TO-263-2

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