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FDB86360_F085

N-Channel Power Trench짰 MOSFET

Features ■ Typ rDS(on) = 1.5mΩ at VGS = 10V, ID = 80A ■ Typ Qg(tot) = 207nC at VGS = 10V, ID = 80A ■ UIS Capability ■ RoHS Compliant ■ Qualified to AEC Q101 Applications ■ Automotive Engine Control ■ Powertrain Management ■ Solenoid and Motor Drivers ■ Integrated Starter/alternator ■ Pr

文件:371.32 Kbytes 页数:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDB86360_F085

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,110A,1.5 mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 110A, 1.5 mΩ • 典型 RDS(on)=1.5 mΩ(VGS=10 V、ID=80 A时)\n• UIS 能力\n• 符合 AEC Q101 标准\n;

ONSEMI

安森美半导体

FDBL0630N150

PSOF-8L

ON

FDBL86063-F085

MO-299A

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳深宇韬电子科技有限公司

FDBL86361-F085

HPSOF8L

Onsemi安森美

上传:深圳市中联芯电子有限公司

Onsemi安森美

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    80

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4.5

  • ID Max (A):

    110

  • PD Max (W):

    333

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    207

  • Ciss Typ (pF):

    14600

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

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更多FDB86360_F085供应商 更新时间2025-12-1 15:08:00