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FDB8444_F085

40 V、70 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 3.9mΩ 典型 rDS(on) = 3.9 mΩ (VGS = 10 V、ID = 70 A)\n VGS = 10V时,典型Qg(TOT) = 91nC\n 低米勒电荷\n 低 Qrr体二极管\n UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB8444-F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 70A, 5.5m廓

文件:344.64 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDBL0630N150

ON
PSOF-8L

ON

FDBL86063-F085

ONSEMI
MO-299A

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳深宇韬电子科技有限公司

FDBL86361-F085

Onsemi安森美
HPSOF8L

Onsemi安森美

上传:深圳市中联芯电子有限公司

Onsemi安森美

技术参数

  • Compliance:

    AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     N-Channel PowerTrench® MOSFET

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

     

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    70

  • PD Max (W):

    167

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    4.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    91

  • Ciss Typ (pF):

    6040

  • Package Type:

    D2PAK-3 / TO-263-2

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更多FDB8444_F085供应商 更新时间2025-10-6 10:24:00