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FDB8860_F085

30 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench®

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.6mΩ RDS(ON) = 1.9 mΩ (典型值)、VGS = 5 V、ID = 80 A\n Qg(5) = 89nC(典型值),VGS = 5V\n 低米勒电荷\n 低 QRR体二极管\n UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB8860_F085

N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET

文件:158.36 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDBL0630N150

PSOF-8L

ON

FDBL86063-F085

MO-299A

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳深宇韬电子科技有限公司

FDBL86361-F085

HPSOF8L

Onsemi安森美

上传:深圳市中联芯电子有限公司

Onsemi安森美

技术参数

  • Compliance:

    AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

     

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    80

  • PD Max (W):

    254

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    2.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    2.3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    165

  • Ciss Typ (pF):

    9460

  • Package Type:

    D2PAK-3 / TO-263-2

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更多FDB8860_F085供应商 更新时间2025-11-22 13:02:00