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FDBL0150N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，240A，1.5mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 240A, 1.5mΩ • 典型 RDS(on) = 1.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A）\n• 典型 Qg(tot) = 150 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A）\n• UIS 能力\n• 符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDBL0630N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	PSOF-8L	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
FDBL86063-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	MO-299A	ONSEMI 安森美半导体上传：深圳深宇韬电子科技有限公司	ONSEMI
FDBL86361-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	HPSOF8L	Onsemi安森美上传：深圳市中联芯电子有限公司	Onsemi安森美
FDC2212QDNTTQ1	文件：0 bytes Page：0 Pages	WSON-12	Texas Instruments 上传：深圳市壹芯创科技有限公司	Texas Instruments

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
240
PD Max (W)：
357
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
19
Ciss Typ (pF)：
10300
Package Type：
TO-LL 8L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDBL0150N60	onsemi(安森美)	24+	MO-299A	9203	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多FDBL0150N60供应商更新时间2025-11-8 16:12:00

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