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FDBL0110N60	文件：434.41 Kbytes Page：7 Pages	丝印：FDBL0110N60；Package：MO-299A；N-Channel PowerTrench® MOSFET Features Typical RDS(on) = 0.85 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 170 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant Applications Industrial Motor Drive Industrial Power Supply Industrial Automation Battery Operated tools Battery Protection Solar Inverte 文件：434.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDBL0110N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，300A，1.1mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 300A, 1.1mΩ • 典型值 RDS(on) = 0.85 mΩ（VGS = 10V, ID = 80 A 时）\n• 典型值 Qg(tot) = 170 nC（VGS = 10V, ID = 80 A时）\n• UIS 能力\n• 符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDBL0150N80	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-LL-8L	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市芯亿发电子科技有限公司	FAIRCHILD
FDBL0630N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	PSOF-8L	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
FDBL86062-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-LL-8L	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市芯亿发电子科技有限公司	FAIRCHILD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDBL0110N60供应商更新时间2026-4-21 20:36:00