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FDBL0110N60中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,300A,1.1mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDBL0110N60

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,300A,1.1mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 21:31:00

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FDBL0110N60规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 300A, 1.1mΩ

特性 Features

• 典型值 RDS(on) = 0.85 mΩ(VGS = 10V, ID = 80 A 时)
• 典型值 Qg(tot) = 170 nC(VGS = 10V, ID = 80 A时)
• UIS 能力
• 符合 RoHS 标准

应用 Application

• Industrial Motor Drive
• Industrial Power Supply
• Industrial Automation
• Battery Operated Tools
• Battery Protection
• Solar Inverters
• Universal Power Supply
• Energy Inverters
• Energy Storage
• Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDBL0110N60

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :300

  • PD Max (W)

    :429

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :24

  • Ciss Typ (pF)

    :13650

  • Package Type

    :TO-LL 8L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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