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FDB8880中文资料30V N沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB8880

功能描述

30V N沟道PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FDB8880规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

rDS(ON) = 14.5mΩ,VGS = 4.5V,VD = 40V
rDS(ON) = 11.6mΩ,VGS = 10V,VD = 40V
高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
低栅极电荷
高功率和高电流处理能力
符合RoHS标准

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB8880

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel PowerTrench® MOSFET

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :54

  • PD Max (W)

    :55

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :14.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :11.6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :1240

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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