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FDB8860中文资料N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,30V,80A,2.6mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB8860

功能描述

N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,30V,80A,2.6mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:26:00

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FDB8860规格书详情

描述 Description

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.6mΩ

特性 Features

•RDS(ON) = 1.9mΩ(典型值),VGS = 5V,ID = 80A
•Qg(5) = 89nC(典型值),VGS = 5V
•低密勒电荷
•低Qrr体二极管
•UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB8860

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :254

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :2.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :56

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :89

  • Ciss Typ (pF)

    :9460

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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