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FDB8443_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDB8443_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,3.0mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:58:00

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FDB8443_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 80A, 3.0mΩ

特性 Features

典型 rDS(on) = 2.3 mΩ (VGS = 10 V、ID = 80 A)
典型Qg(10) = 142nC (VGS = 10V)
低米勒电荷
低 Qrr体二极管
UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
符合 AEC Q101 标准
符合 RoHS 标准

应用 Application

信息娱乐便携导航信息娱乐其他传动系安全和控制舒适与便捷人体电子车辆安全系统其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB8443_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel PowerTrench® MOSFET

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :188

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :142

  • Ciss Typ (pF)

    :9310

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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