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FDB8870_F085中文资料30 V、160 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB8870_F085

功能描述

30 V、160 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:00:00

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FDB8870_F085规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

rDS(ON) = 3.9mΩ, VGS = 10V, ID = 35A
rDS(ON) = 4.4mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A
高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)
低栅极电荷
高功率和高电流处理能力
符合 AEC Q101 标准
符合 RoHS 标准

应用 Application

信息娱乐便携导航信息娱乐其他传动系安全和控制舒适与便捷人体电子车辆安全系统其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB8870_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel PowerTrench® MOSFET

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :160

  • PD Max (W)

    :160

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :4.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :25

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :106

  • Ciss Typ (pF)

    :5200

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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