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FDB8870_F085

30 V、160 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。 rDS(ON) = 3.9mΩ, VGS = 10V, ID = 35A\n rDS(ON) = 4.4mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A\n 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)\n 低栅极电荷\n 高功率和高电流处理能力\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB8870_F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:223.41 Kbytes 页数:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDP8870_F085

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:571.45 Kbytes 页数:10 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDBL0630N150

ON
PSOF-8L

ON

FDBL86063-F085

ONSEMI
MO-299A

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳深宇韬电子科技有限公司

技术参数

  • Compliance:

    AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     N-Channel PowerTrench® MOSFET

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

     

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.5

  • ID Max (A):

    160

  • PD Max (W):

    160

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    4.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    3.9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    25

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    106

  • Ciss Typ (pF):

    5200

  • Package Type:

    D2PAK-3 / TO-263-2

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ON Semiconductor
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更多FDB8870_F085供应商 更新时间2025-10-13 16:19:00