FDB8870中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，160A，3.9mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB8870规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。
特性 Features
•rDS(ON) = 3.9mΩ @ VGS = 10V，ID=35A
•rDS(ON) = 4.4mΩ @ VGS = 4.5V，ID=35A
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•低栅极电荷
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDB8870
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：160
- PD Max (W)
：160
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：4.4
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3.9
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：12
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：56
- Ciss Typ (pF)
：5200
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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