isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=160A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =3.9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件：328.7 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9mW

文件：121.09 Kbytes 页数：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：770.2 Kbytes 页数：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，160A，3.9mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •rDS(ON) = 3.9mΩ @ VGS = 10V，ID=35A\n•rDS(ON) = 4.4mΩ @ VGS = 4.5V，ID=35A\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：770.2 Kbytes 页数：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 160A, 3.9m廓

文件：223.41 Kbytes 页数：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：223.41 Kbytes 页数：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

30 V、160 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。 rDS(ON) = 3.9mΩ, VGS = 10V, ID = 35A\n rDS(ON) = 4.4mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A\n 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)\n 低栅极电荷\n 高功率和高电流处理能力\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体