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FDB9403L_F085中文资料N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，40 V，110 A，1.2 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB9403L_F085规格书详情
描述 Description
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 40 V, 110 A, 1.2 mΩ
特性 Features
• 典型 RDS(on) = 1.0 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A）
• 典型 Qg(tot) = 186 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A）
• UIS 能力
• 符合 RoHS 标准
• 符合 AEC Q101 标准
应用 Application
• Automotive Engine Control
• PowerTrain Management
• Solenoid and Motor Drivers
• Integrated Starter/Alternator
• Primary Switch for 12V Systems
技术参数
- 制造商编号
：FDB9403L_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：110
- PD Max (W)
：333
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：100
- Ciss Typ (pF)
：13500
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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