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FDB9403L_F085

N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,40 V,110 A,1.2 mΩ

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 40 V, 110 A, 1.2 mΩ • 典型 RDS(on) = 1.0 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)\n• 典型 Qg(tot) = 186 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A)\n• UIS 能力\n• 符合 RoHS 标准\n• 符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB9403L-F085

丝印:FDB9403L;Package:D2-PAK;N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET

文件:537.02 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDBL0630N150

ON
PSOF-8L

ON

FDBL86063-F085

ONSEMI
MO-299A

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳深宇韬电子科技有限公司

FDBL86361-F085

Onsemi安森美
HPSOF8L

Onsemi安森美

上传:深圳市中联芯电子有限公司

Onsemi安森美

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    110

  • PD Max (W):

    333

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    100

  • Ciss Typ (pF):

    13500

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

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更多FDB9403L_F085供应商 更新时间2025-10-10 9:18:00