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FDB8896_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDB8896_F085

功能描述

30 V、93 A、4.7 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:35:00

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FDB8896_F085规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

rDS(ON) = 5.7mΩ, VGS = 10V, ID = 35A
rDS(ON) = 6.8mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A
高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)
低栅极电荷
高功率和高电流处理能力
符合 AEC Q101 标准
符合 RoHS 标准

应用 Application

信息娱乐便携导航信息娱乐其他传动系安全和控制舒适与便捷人体电子车辆安全系统其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB8896_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :93

  • PD Max (W)

    :80

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :48

  • Ciss Typ (pF)

    :2525

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
2511
TO-263-2
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
ONSEMI/安森美
22+
TO-263
18500
原装正品支持实单
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-263
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
FAIRCHIL
09+
TO263-3-
5500
原装无铅,优势热卖
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-2632L(D2PAK)
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
国产
询价
ON
23+
NA
6000
全新、原装
询价
ON/FAIRCHILD
22+
NA
647
原装正品支持实单
询价
FAIRCHILD/仙童
2022+
TO-263
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
询价
Fairchild
23+
33500
询价