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FDB9406_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDB9406_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40 V,110 A,1.8 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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FDB9406_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40 V, 110 A, 1.8 mΩ

特性 Features

•典型 rDS(on) = 1.31 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)
•典型 Qg(tot) = 107 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A)
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101

应用 Application

• Automotive Engine Control
• Powertrain Management
• Solenoid and Motor Drivers
• Electronic Steering
• Integrated Starter/Alternator
• Distributed Power Architectures
• Voltage Regulator Modules
• Primary Switch for 12V Systems

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB9406_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :110

  • PD Max (W)

    :176

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :107

  • Ciss Typ (pF)

    :7710

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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