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FDB8442_F085

40 V、80 A、2.1 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®

FDB8442_F085 典型 rDS(on) = 2.1 mΩ (VGS = 10 V、ID = 80 A)\n VGS = 2V时,典型Qg(10) = 181nC\n 低米勒电荷\n 低 Qrr体二极管\n UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB8442_F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:457.8 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDP8442_F085

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:406.44 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDB8443

TO263

Fairchild

仙童半导体

上传:深圳市旺财半导体有限公司

FDBL0630N150

PSOF-8L

ON

技术参数

  • Compliance:

    AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     40V

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

     

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    80

  • PD Max (W):

    254

  • GS = 2.5 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

  • GS = 10 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:

    help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

  • GS = 10 V\ style=\cursor:

    help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

  • Ciss Typ (pF):

    12200

  • Package Type:

    D2PAK-3 / TO-263-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDB8442_F085供应商 更新时间2025-11-22 15:08:00