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FDB8443

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FDB8443

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB8443_11

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 80A, 3.0m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB8443_F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB8443-F085

Marking:FDB8443;Package:TO-263AB;N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 80A, 3.0m廓

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FDP8443

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FDP8443

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

TDA8443A

I2C-buscontrolledYUV/RGBswitch

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

详细参数

  • 型号:

    FDB8443

  • 功能描述:

    MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi
24+
D2PAK(TO-263)
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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FAIRCHILD/仙童
24+
TO-263
20
只做原厂渠道 可追溯货源
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onsemi(安森美)
24+
TO-263AB
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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22+
TO263
25368
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FAIRCHILD
24+
TO-263(D2PAK)
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更多FDB8443供应商 更新时间2025-5-28 19:08:00