isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

丝印：FDB8443；Package：TO-263AB；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 80A, 3.0m廓

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ONSEMI

安森美半导体

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V，182A，3mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 182A, 3mΩ •RDS(on) = 2.3mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 80A\n•QG(tot) = 142nC（典型值）\n•低米勒电荷，QGD = 32nC（典型值）\n•UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 80A, 3.0m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，3.0mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 80A, 3.0mΩ 典型 rDS(on) = 2.3 mΩ （VGS = 10 V、ID = 80 A）\n 典型Qg(10) = 142nC （VGS = 10V）\n 低米勒电荷\n 低 Qrr体二极管\n UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体