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FDB86363_F085	文件：492.19 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET Features ■ Typical RDS(on) = 2.0 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A ■ Typical Qg(tot) = 131 nC at VGS = 10V, ID = 80 A ■ UIS Capability ■ RoHS Compliant ■ Qualified to AEC Q101 Applications ■ Automotive Engine Control ■ PowerTrain Management ■ Solenoid and Motor Drivers ■ Integrated Starter/Alte 文件：492.19 Kbytes 页数：1 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB86363_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，110A，2.4mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 110A, 2.4mΩ • 典型 RDS(on)=2.0 mΩ，需 VGS=10 V、ID=80 A\n• UIS 能力\n• 符合 AEC Q101\" 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDBL86363_F085	文件：407.21 Kbytes Page：6 Pages	Automotive Engine Control 文件：407.21 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDP86363_F085	文件：474.03 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：474.03 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDP86363_F085	文件：474.03 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：474.03 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
110
PD Max (W)：
300
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2.3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
150
Ciss Typ (pF)：
10000
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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