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FDB86363_F085中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,110A,2.4mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB86363_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,110A,2.4mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 10:41:00

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FDB86363_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 110A, 2.4mΩ

特性 Features

• 典型 RDS(on)=2.0 mΩ,需 VGS=10 V、ID=80 A
• UIS 能力
• 符合 AEC Q101\" 标准

应用 Application

• Automotive Engine Control
• PowerTrain Management
• Primary Switch for 12V Systems
• Solenoid and Motor Drivers
• Integrated Starter/Alternator

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB86363_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :110

  • PD Max (W)

    :300

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :150

  • Ciss Typ (pF)

    :10000

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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