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FDB8444中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,70A,5.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB8444

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,70A,5.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FDB8444规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 5.5mΩ

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 70A时,rDS(on) = 3.9mΩ(典型值)
•VGS = 10V时,Qg(TOT) = 91nC(典型值)
•低密勒电荷
•低Qrr体二极管
•UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合AEC Q101
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB8444

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :70

  • PD Max (W)

    :167

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :9.9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7

  • Ciss Typ (pF)

    :6040

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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