FDB8444中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,70A,5.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB8444规格书详情
描述 Description
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 5.5mΩ
特性 Features
•VGS = 10V,ID = 70A时,rDS(on) = 3.9mΩ(典型值)
•VGS = 10V时,Qg(TOT) = 91nC(典型值)
•低密勒电荷
•低Qrr体二极管
•UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合AEC Q101
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDB8444
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:40
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:70
- PD Max (W)
:167
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:9.9
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:7
- Ciss Typ (pF)
:6040
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-263AB |
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ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-263 |
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