isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 70A, 9mOhm

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，70A，9mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 9mΩ •VGS = 10V，ID = 70A时，Typ rDS(on) = 6.8mΩ \n•VGS = 10V，ID = 70A时，Typ rDS(on) = 6.8mΩ \n•低密勒电荷\n•低Qrr体二极管\n•UIS能力（单脉冲和重复脉冲）\n•符合AEC Q101\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 70A, 9m廓

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，70A，9mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 9mΩ 典型 rDS(on) = 6.8 mΩ （VGS = 10 V、ID = 70 A）\n VGS = 10V时，典型Qg(TOT) = 44nC\n 低米勒电荷\n 低 Qrr体二极管\n UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

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安森美半导体