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FDB8442	文件：328.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：328.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDB8442	文件：317.66 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：317.66 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB8442	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB8442_10	文件：457.8 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 80A, 2.9m廓文件：457.8 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB8442_F085	文件：457.8 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：457.8 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB8442_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、80 A、2.1 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® FDB8442_F085 典型 rDS(on) = 2.1 mΩ （VGS = 10 V、ID = 80 A）\n VGS = 2V时，典型Qg(10) = 181nC\n 低米勒电荷\n 低 Qrr体二极管\n UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDB8442	onsemi(安森美)	24+	TO-263	8357	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市一线半导体有限公司	FDB8442	FAIRCHILD	24+	TO-263(D2PAK)	8866		询价
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更多FDB8442供应商更新时间2025-12-1 16:12:00