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FDB8442	文件：328.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDB8442	文件：317.66 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8442_10	文件：457.8 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 80A, 2.9m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8442_F085	文件：457.8 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI8442	文件：308.9 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI8442	文件：325.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.7mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP8442	文件：332.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.1mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP8442	文件：294.83 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET40V,80A,3.1m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ICS8442	文件：284.31 Kbytes Page：15 Pages	700MHZ,CRYSTALOSCILLATOR-TO-DIFFERENTIALLVDSFREQUENCYSYNTHESIZER GENERALDESCRIPTION TheICS8442isageneralpurpose,dualoutputCrystal-to-DifferentialLVDSHighFrequencySynthesizerandamemberoftheHiPerClockS™familyofHighPerformanceClockSolutionsfromICS.TheICS8442hasaselectableTEST_CLKorcrystalinput.TheTEST_CLKinputacceptsLVCMOS	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
ICS8442AY	文件：284.31 Kbytes Page：15 Pages	700MHZ,CRYSTALOSCILLATOR-TO-DIFFERENTIALLVDSFREQUENCYSYNTHESIZER GENERALDESCRIPTION TheICS8442isageneralpurpose,dualoutputCrystal-to-DifferentialLVDSHighFrequencySynthesizerandamemberoftheHiPerClockS™familyofHighPerformanceClockSolutionsfromICS.TheICS8442hasaselectableTEST_CLKorcrystalinput.TheTEST_CLKinputacceptsLVCMOS	ICST Integrated Circuit Systems	ICST

详细参数

型号：
FDB8442
功能描述：
MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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