isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=34A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =1.9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

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ISC

无锡固电

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 2.1mOHM

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Fairchild

仙童半导体

N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，80A，2.1mΩ

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.1mΩ •VGS = 5V，ID = 80A时，rDS(on) = 1.5mΩ（典型值）\n•VGS = 2V时，典型Qg(5) = 100nC\n•低米勒电荷\n•低Qrr体二极管\n•UIS能力（单脉冲和重复脉冲）\n•符合AEC Q101\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET 30V, 80A, 2.1m廓

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

30 V、80 A、1.5 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench®

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.1mΩ 典型 rDS(on) = 1.5 mΩ （VGS = 5 V、ID = 80 A）\n VGS = 2V时，典型Qg(5) = 100nC\n 低米勒电荷\n 低 Qrr体二极管\n UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体