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FDB390N15A中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,27A,39mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB390N15A

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,27A,39mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 15:14:00

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FDB390N15A规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 33.5mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID= 27A
•快速开关速度
•低栅极电荷,QG = 14.3nC(典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• LED 电视
• 消费型设备
• 其他音频与视频

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB390N15A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :27

  • PD Max (W)

    :75

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :39

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :14.3

  • Ciss Typ (pF)

    :965

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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