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FDB045AN08A0-F085	文件：770.9 Kbytes Page：12 Pages	Marking：FDB045AN08A0；Package：TO-263AB；N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.5m Features •rDS(ON)=3.9m(Typ.),VGS=10V,ID=80A •Qg(tot)=92nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 •RoHSCompliant Applications •42VAutomotiveLoadControl •Starter/Altern	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDB045AN08A0-F085

文件：770.9 Kbytes

Page：12 Pages

Marking：FDB045AN08A0；Package：TO-263AB；N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.5m

Features •rDS(ON)=3.9m(Typ.),VGS=10V,ID=80A •Qg(tot)=92nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 •RoHSCompliant Applications •42VAutomotiveLoadControl •Starter/Altern

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FDB045AN08A0
功能描述：
MOSFET N-Channel UltraFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDB045AN08A0供应商更新时间2025-5-18 11:04:00

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