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FDB3632	文件：1.37282 Mbytes Page：12 Pages	型号：FDB3632-F085；Package：TO-263AB；N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΩ Features •rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A •Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 •RoHSCompliant Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •Distribute	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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文件：1.37282 Mbytes

Page：12 Pages

型号：FDB3632-F085；Package：TO-263AB；N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΩ

Features •rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A •Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 •RoHSCompliant Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •Distribute

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