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FDB3632-F085中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDB3632-F085

功能描述

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΩ

丝印标识

FDB3632

封装外壳

TO-263AB

文件大小

1.37282 Mbytes

页面数量

12

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 20:00:00

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FDB3632-F085规格书详情

特性 Features

• rDS(ON) = 7.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A

• Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V

• Low Miller Charge

• Low QRR Body Diode

• UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

• Qualified to AEC Q101

• RoHS Compliant

Applications

• DC/DC converters and Off-Line UPS

• Distributed Power Architectures and VRMs

• Primary Switch for 24V and 48V Systems

• High Voltage Synchronous Rectifier

• Direct Injection / Diesel Injection Systems

• 42V Automotive Load Control

• Electronic Valve Train Systems

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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