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STGW30N90D

N-channel 900V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH IGBT

ST

意法半导体

STGW30N90D

N-channel 900V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH IGBT

文件:159.35 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW30N90D

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 900V 60A 220W TO247

STMICROELECTRONICS

意法半导体

GW30N90D

N-channel 900V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH IGBT

文件:159.35 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

IHW30N90R

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Features: • 1.5V typical saturation voltage of IGBT • Trench and Fieldstop technology for 900 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat

文件:304 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IHW30N90R

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

文件:356.25 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    STGW30N90D

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    1.66mJ(开),4.44mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    29ns/275ns

  • 测试条件:

    900V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 900V 60A 220W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
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更多STGW30N90D供应商 更新时间2026-2-1 16:20:00