丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：313.84 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

丝印：150N10F7；Package：H2PAK-2；N-channel 100 V, 0.0034 廓 typ., 110 A, STripFET??F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

文件：958.18 Kbytes 页数：16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的RDS(on)行列 \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

ST
TO-263

ST

上传：深圳市励创源科技有限公司

TOS
TO-263

TOS

上传：深圳市宏浩通电子科技有限公司